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AlN 兼具高导热（170–230 W/m·K）与高电绝缘，Al₂O₃ 具备优异的等离子体耐蚀性与超低金属污染，是静电卡盘、加热盘、聚焦环等晶圆承载与制程部件的核心材料。

Si₃N₄ 高强度、高断裂韧性与抗热震，AlN 高导热温控适配，可承受宽温域交变、强辐照与剧烈力学冲击，服务于航天载荷承载与精密装备的核心结构件。

AlN / Si₃N₄ 基板兼具高导热散热与低介电损耗（tanδ），信号完整性优异，是射频功率模块、微波器件及光模块（400G/800G/1.6T）封装的理想基材。

AlN / Si₃N₄ 基板高导热、高绝缘、CTE 与芯片匹配，可承受功率器件高频热循环，广泛应用于车规级 SiC / IGBT 主驱模块与高压平台电子。

AlN / Si₃N₄ 基板高效散热、高绝缘、高抗击穿，可适配光伏逆变器与储能 PCS 中的功率器件，保障设备在高功率密度下长周期稳定运行。

AlN 基板高导热（达 230 W/m·K）、Si₃N₄ 基板高抗弯强度（≥600 MPa）且 CTE 与芯片匹配，可承受频繁功率热循环，是 IGBT / SiC 模块 AMB / DBC 封装的核心基材。

陶瓷基静电卡盘以无应力、高平坦度夹持大尺寸玻璃基板，兼具高精度温控与等离子体耐蚀，适用于 LCD / OLED / MiniLED 的 PVD / CVD 沉积、刻蚀与清洗等关键制程。