AlN 高导热陶瓷基板
特征
- 导热率 170–230 W/m·K，约为 Al₂O₃（约 20–30 W/m·K）的 7 倍以上，散热能力优异。
- CTE（4.6×10⁻⁶/K @40–400℃）接近硅，承载大尺寸硅芯片并经受热循环时具备高可靠性。
- 高电绝缘（体积电阻 >10¹⁴ Ω·cm、击穿电压 >15 kV/mm），介电常数小（8.5 @1 MHz）。
- 抗弯强度（350–450 MPa）优于 Al₂O₃，机械性能更佳。
- 对熔融金属具备良好耐蚀性。
- 杂质含量极低、无毒、纯度高，适配高洁净电子封装。
特性值
| 项目 |
|
单位
|
AIN | |||
|
AN-170 |
AN-200 |
AN-230 |
||||
|
材料 |
— |
— |
AIN |
AIN |
AIN |
|
|
颜色
|
— |
— |
灰色 |
灰色 |
灰色 |
|
|
表现密度
|
— |
g/cm3
|
3.30 | 3.30 | 3.30 | |
|
表面粗糙度Ra
|
|
µm
|
0.2 |
0.3 |
0.3 |
|
|
光反射率 |
0.3-0.4mmt |
% | 35 |
— |
— |
|
|
0.8-1.0mmt |
25 |
— |
— |
|||
| 物理特性 | 抗折弯度 |
按点弯曲 |
Mpa |
450 |
400 |
350 |
| 杨氏模量 |
— |
Gpa |
320 |
— |
— |
|
| 维氏硬度 |
— |
Gpa |
11 |
11 |
11 |
|
| 断裂韧度 | IF法 |
MPa･√m
|
3.0 |
2.6 |
2.4 |
|
|
热特性
|
热膨胀系数 |
40-400°C
|
10-6/K
|
4.6 | 4.6 |
4.6 |
|
40-800°C |
5.2 |
5.2 |
5.2 |
|||
|
热导率
|
25°C
|
W/(m･K)
|
180
|
200 |
230 |
|
|
300°C |
120 |
130 |
145 |
|||
|
比热 |
25°C |
J/(㎏･K) |
720 |
720 |
720 |
|
|
电气特性 |
介电常数 | 1MHz |
— |
8.5 |
8.5 |
8.5 |
|
介电损耗 |
1MHz |
10-3 |
0.3 |
0.3 |
0.3 |
|
|
体积电阻 |
25°C |
Ω･cm | >1014 |
>1014 |
>1014 |
|
|
击穿电压 |
DC | KV/mm |
>15 |
>15 |
>15 |
|
一般尺寸
|
项目 |
单位 |
基板名 |
||
|
AN-170 |
AN-200 |
AN-230 |
||
|
外形尺寸 |
inch(max)
|
5.5"×7.5"
|
5.5"×7.5" |
5.5"×7.5" |
| 公差 |
±1% NLT:±0.1㎜
|
±1% NLT:±0.1㎜
|
±1% NLT:±0.1㎜ |
|
|
板厚度 |
mm | 0.25~1.5 |
0.25~1.5 |
0.25~1.0 |
|
公差 |
±10% NLT:±0.04㎜ |
±10% NLT:±0.04㎜ |
±10% NLT:±0.04㎜ |
|
| 孔洞 |
mm |
Φ0.2~
|
Φ0.2 |
Φ0.2 |
|
公差 |
±0.05mm |
±0.05mm |
±0.05mm |
|
|
翘曲 |
mm |
0.002/mm |
0.002/mm |
0.002/mm |
用途
- 散热基板
- LED封装用基板
- 半导体用基板
- 薄膜电路基板
- 功率电阻基板，以及功率模块（IGBT/SiC）AMB/DBC 封装基材等
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