功率模块封装是电力电子设备实现高效稳定运行的关键环节，封装基板需在高功率密度、频繁热循环与小型化集成的多重约束下，同时满足高导热散热、高绝缘耐压、与芯片 CTE 匹配以及高机械可靠性。

        AlN 基板以高导热（170–230 W/m·K）显著降低结温、提升模块功率密度；Si₃N₄ 基板以高抗弯强度（≥600 MPa）与高断裂韧性承受严苛热循环，二者配合 AMB/DBC 工艺，是 IGBT 与 SiC 功率模块封装的理想基材。