在高功率、高频、高密度集成场景下，移动通信与光通讯器件面临五大核心挑战：高效散热（应对高热流密度）、高电绝缘、低介电损耗下的信号完整性、CTE 匹配以抑制热应力，以及高低温循环下的长期可靠性。

      AlN 基板（高导热 170–230 W/m·K）与 Si₃N₄ 基板（高强度、高韧性）兼具低介电损耗（1 MHz 下 tanδ ≈ 0.3×10⁻³）与优异散热，是射频功率模块、微波模块、射频开关、衰减器及光模块（400G/800G/1.6T）的理想封装基材。