Si₃N₄ 高强度陶瓷基板

特征

• 抗弯强度 600–750 MPa（三点），约为 AlN 基板的 2 倍以上，抗机械与热应力能力突出。
• 导热率 ≥80–130 W/m·K，约为 Al₂O₃ 或 ZTA 基板的 3 倍以上。
• 高电绝缘（击穿强度 ≥15 kV/mm、体积电阻率 ≥10¹⁴ Ω·cm）。
• CTE（2.6–3.1×10⁻⁶/K）与硅相近，热循环可靠性高，尤其适配车规级功率模块的高频热循环。

特性值

分类	项目			单位 Unit	指标值
					SiN80	SiN130
基本性能	颜色			—	灰色 Gray	灰色 Gray
	吸水率			%	0	0
	体积密度			g/cm³	≥3.22	≥3.22
	表面粗糙度			um	As-fired 0.1-0.4	As-fired 0.1-0.4
					—	—
	翘曲度			length%	≤3%	≤3%
热学性能	热导率		25℃	W/m·k	≥80	≥130
			30℃		—	—
	热膨胀系数		40℃~400℃	×10⁻⁶/k	2.6	2.6
			40℃~800℃		3.1	3.1
	比热（25℃）			J/(kg·K)	680	680
	泊松比			—	0.24	0.24
力学性能	抗弯强度（三点）			Mpa	≥750	≥760
	杨氏弹性模量			Gpa	310	310
	莫氏硬度			—	9	9
	维氏硬度			Gpa	15	15
	断裂韧性（IF法）			Mpa·m¹/²	6.5	6
电学性能	介电强度			KV/mm	≥15	≥15
	体积电阻率（25℃）			Ω·cm	≥10¹⁴	≥10¹⁴
	介电常数			1MHz	7.8	7.8
	介电损耗			1MHz, ×10⁻³	0.3	0.3

标准尺寸

产品尺寸mm	常规厚度mm	常规参数
190.5*139.7(其他尺寸可定制)	0.25/0.32/0.38/0.5/0.635	尺寸公差:±1%，NLT:±0.05mm
		厚度公差:±10%，NLT:±0.02mm
		研磨型:Ra0.2~0.6um 即烧型:Ra0.1~0.4um 翘曲度:≤3‰

用途

• 散热基板
• 功率电子电路基板，以及新能源汽车 SiC/IGBT 主驱模块、储能与光伏功率模块等高可靠封装基材