氮化铝陶瓷基板 - 产品展示

AlN 高导热陶瓷基板

特征

导热率 170–230 W/m·K，约为 Al₂O₃（约 20–30 W/m·K）的 7 倍以上，散热能力优异。
CTE（4.6×10⁻⁶/K @40–400℃）接近硅，承载大尺寸硅芯片并经受热循环时具备高可靠性。
高电绝缘（体积电阻 >10¹⁴ Ω·cm、击穿电压 >15 kV/mm），介电常数小（8.5 @1 MHz）。
抗弯强度（350–450 MPa）优于 Al₂O₃，机械性能更佳。
对熔融金属具备良好耐蚀性。
杂质含量极低、无毒、纯度高，适配高洁净电子封装。

特性值

分类	项目		单位	指标值
分类	项目		单位	AIN170	AIN200	AIN230
基本性能	颜色		—	灰色	灰色	米色
	吸水率		%	0	0	0
	体积密度		g/cm³	≥3.30	≥3.30	≥3.26
	表面粗糙度		um	Lapped 0.2~0.6	Lapped 0.2~0.6	Lapped 0.2~0.6
	表面粗糙度		um	Polished <0.05	Polished <0.05	Polished <0.05
	翘曲度		length%。	≤3%。	≤3%。	≤3%。
热学性能	热导率	25°C	W/m･k	≥170	≥200	≥230
	热导率	300°C	W/m･k	≥120	≥130	≥145
	热膨胀系数	40~400°C	(×10^-6/K）	4.6	4.6	4.5
	热膨胀系数	40~800°C	(×10^-6/K）	5.2	5.2	5.2
	比热（25°C）		J/(kg･K)	720	720	720
	泊松比		—	0.24	0.24	0.24
力学性能	抗弯强度（三点）		Mpa	≥450	≥400	≥350
	杨氏弹性模量		Gpa	320	310	310
	莫氏硬度		—	8	8	8
	维氏硬度		Gpa	11	11	11
	断裂韧性（IF法）		Mpa*m^1/2	3	2.6	2.4
电学性能	介电强度		KV/mm	≥25	≥26	≥27
	体积电阻率		Ω･cm	>10¹⁴	>10¹⁴	>10¹³
	介电常数		1MHz	8.5	8.5	8.5
	介电损耗		1MHz,×10^-3	0.3	0.3	0.3

一般尺寸

产品尺寸 mm	常规厚度 mm	常规参数
25*20	0.127/0.15/0.2/0.25/0.3/0.35/ 0.38/0.5/0.635/0.76/1.0/1.5/2.0/2.5/3.0	尺寸公差：±1%，NLT:±0.05mm 厚度公差：±10%，NLT:±0.01mm (双面)研磨型：Ra0.2~0.7um (单/双面)抛光型：Ra0.02~0.05um 孔：φ0.15mm~ 公差：±0.05mm，NLT:±0.02mm 圆光斑：0.06~0.1mm 长光斑：长0.05~0.08，短0.015~0.03 激光划线：30%~70%，公差：3%~10% 翘曲度：≤3%。，NLT:0.5%。平面度/平整度：20~70um
24*38
50.8*50.8
76.2*76.2
101.6*101.6
114.3*114.3
120*120	0.25/0.3/0.38/0.5/0.635/ 0.76/1.0/1.5/2.0/2.5/3.0
127*127
160*160
139.7*190.5
φ16/φ20/φ26/φ30	0.635/1.0/1.5/2.0
φ35/φ40/φ45/φ50
φ55/φ60/φ65/φ70
φ100/φ125/φ150/φ200	0.38/0.5/0.635/0.76/ 1.0/1.5/2.0/2.5/3.0

氮化铝陶瓷基板

用途

散热基板
LED封装用基板
半导体用基板
薄膜电路基板
功率电阻基板，以及功率模块（IGBT/SiC）AMB/DBC 封装基材等

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